信息摘要：
如今，電力已經(jīng)進(jìn)入千家萬(wàn)戶，給我們的生活帶來(lái)了很大的便利，電力行業(yè)也成為了熱門(mén)行業(yè)?，F(xiàn)代電力電子技術(shù)越來(lái)越多地應(yīng)用于電力半導(dǎo)體器件。今天，讓我們學(xué)習(xí)一些關(guān)于電力半...
如今，電力已經(jīng)進(jìn)入千家萬(wàn)戶，給我們的生活帶來(lái)了很大的便利，電力行業(yè)也成為了熱門(mén)行業(yè)。現(xiàn)代電力電子技術(shù)越來(lái)越多地應(yīng)用于電力半導(dǎo)體器件。今天，讓我們學(xué)習(xí)一些關(guān)于電力半導(dǎo)體元件的知識(shí)。
電力半導(dǎo)體元件大多是以開(kāi)關(guān)方式工作、控制和轉(zhuǎn)換電能的電力電子器件。如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT、sit、Sith、MCT等。
功率半導(dǎo)體元件可分為三類:雙極型、單極型和混合型。
雙極器件是半導(dǎo)體器件，其中電子和空穴載流子都參與傳導(dǎo)過(guò)程。這種裝置的導(dǎo)通電阻小于0.09Ω,電壓降低,阻斷電壓高,電流容量很大。常用的有GTO(關(guān)斷晶閘管)、GTR(功率晶體管)、Sith(靜電感應(yīng)晶閘管)等。GTO具有高耐壓(4500V)和大電流(5000A)。GTR具有控制方便、開(kāi)關(guān)時(shí)間短、傳導(dǎo)電壓低、高頻特性好等優(yōu)點(diǎn)。Sith的通、關(guān)由梭形桿控制，具有通電阻小、通電壓低、開(kāi)關(guān)速度快、功耗低、關(guān)斷電流增益大的特點(diǎn)。
單極器件是只有主要載流子參與導(dǎo)電過(guò)程的半導(dǎo)體器件。常見(jiàn)產(chǎn)品有power MOSFET和sit。前者為電壓控制裝置，具有驅(qū)動(dòng)功率低、工作速度快、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。后者是三層結(jié)構(gòu)的載波器件。它具有輸出功率高、失真小、輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)特性好等優(yōu)點(diǎn)。它可以在放大和轉(zhuǎn)換兩種狀態(tài)下工作。
混合裝置是雙極和單極裝置的混合。它們采用高耐壓、大電流、低導(dǎo)通電壓的雙極器件(GTO、gir等)作為輸出元件，采用高輸入阻抗、高對(duì)應(yīng)速度的單極器件(MOSFET)作為輸入級(jí)。典型產(chǎn)品有IGBT(絕緣棚雙極晶體管)、MCT (MOS晶閘管)等。
